半导体物理相关的好书籍有哪些？

　　半导体物理（与器件）相关的书（教材）有哪些值得推荐的？器件主要是功率器件方面的。“能带和晶格”我也想有所了解。中英文的都可以，详略的都可以推荐。

　　目前我国半导体行业发展与美国等发达国家依旧有着一段距离，所以如果要选择半导体类的书优先推荐国外翻译版或全英文版，庆幸的是针对这类书籍我国吴佑寿老师（中国工程院院士、清华大学教授）以及电子工业出版社为此做了很多工作。

　　他们成立了一个“国外电子与通信教材系列"项目组,选派了富有经验的业务骨干负责有关工作,收集了230余种通信教材和参考书的详细资料,调来了100余种原版教材样书，依靠由20余位专家组成的出版委员会，从中精选了40多种，覆盖了电路理论与应用、信号与系统、数字信号处理、微电子、通信系统、电磁场与微波等方面，既可作为通信专业本科生和研究生的教学用书，也可作为有关专业人员的参考材料。

　　比如这本《半导体制造技术》，上方就写了 国外电子与通讯教材系列，而这类系列已经由20多位前辈认可过的，具有很大的学习价值与意义，如果需要可以搜索这个系列的书籍。

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　　接下来我挑选这个系列与半导体相关的书籍进行推荐：

　　本书旨在介绍半导体集成电路产业中最新的工具和技术，以便提高读者在工作过程中理解与使用相同或类似工具的能力。全书在细节上覆盖了用于亚0.25 μm( 0.18 um及以下)工艺的最新技术，通过描述早期的工具和工艺来阐明现代技术的发展。包括铜互连、化学机械平坦化(CMP)、低k介质工艺、浅槽隔离(STI)深紫外化学放大光刻胶、步进与扫描系统、具有双大马士革的铜金属化等。

　　贯穿全书，解释了产业变化漫长历史中的所有工艺和设备，以及工艺需求和设备性能的技术关系，井显示了设备潜在性能与最佳制造所需工艺参数之间的折衷。本书适合作为高等院校微电子技术专业的教材，也可作为从事半导体制造与研究人员的参考书及公司培训员工的标准教材。

　　《半导体物理与器件(第4版)(英文版)》是微电子技术领域的基础教程。全书涵盖了量子力学、固体物理、半导体材料物理及半导体器件物理等内容，共分为三部分，十五章。

　　第一部分是半导体材料属性，包括固体晶格结构、量子力学、固体量子理论、平衡态半导体、输运现象、半导体中的非平衡过剩载流子；第二部分是半导体器件基础，主要讨论pn结、pn结二极管、金属半导体和半导体异质结、金属-氧化物-半导体场效应晶体管、双极晶体管、结型场效应晶体管；第三部分是专业半导体器件，主要介绍光器件、半导体微波和功率器件等。书中既讲述了半导体基础知识，也分析讨论了小尺寸器件物理问题，具有一定的深度和广度。全书内容丰富、概念清楚、讲解深入浅出、理论分析透彻。另外，全书各章难点之后均列有例题、自测题，每章末尾均安排有复习要点、重要术语解释及知识点。全书各章末列有习题和参考文献，书后附有部分习题的答案。尽管对半导体器件的研究已经超过了半个世纪，但这一领域仍然充满着生机与活力;而且令人欣喜的是，新器件和改进型器件正在快速地发展。当在复杂的集成电路中的器件数增加到百万量级、芯片边长以厘米为单位来计算时，从概念上来说独立的器件已被缩小到原子尺度。对于给定的但实际无法得到的器件结构，正在人工生成其所希望的半导体性质。从本质上来说，人们正在利用工程方法获得半导体特性，从而达到所需的器件指标。

　　本书要点

　　介绍了与半导体和半导体器件有关的基本术语、模型及特性详细介绍了多种“模块化”器件结构的内部工作方式，如pn结二极管、肖特基二极管、双极结型晶体管(BJT)和金属一氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)介绍了其他一些器件的相关信息，主要包括太阳能电池、发光二极管（LED)、异质结双极晶体管(HBT)和新型场效应器件系统阐述了解决实际器件问题的定量分析方法本书深入介绍了先进半导体存储器的技术与发展，论述全面，涵盖了近年来的新技术成果。书中讲解了静态随机存取存储器技术、高性能的动态随机存取存储器、专用DRAM的结构和设计，先进的不挥发存储器的设计和技术、嵌入式存储器的设计和应用，以及未来存储器的发展方向等。

　　DRAM作为新一代半导体产品制造技术的推动者，除用于计算机领域之外，还用于汽车、航空、航天、电信以及无线工业等领域。近年来，新一代高容量、高性能的存储器结构得到了进一步发展，包括嵌入式存储器和不挥发快闪存储器在内的大容量存储设备得到了越来越广泛的应用。

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　　作为当下最热门的第三代半导体，这本书你一定不能错过。

　　本书是一本系统介绍碳化硅半导体材料及器件的专著，主要论述了SiC材料与器件中的相关基础理论，内容包括：SiC材料特性、SiC同质外延和异质外延、SiC欧姆接触、肖特基势垒二极管、大功率PiN整流器、SiC微波二极管、SiC晶闸管、SiC静态感应晶体管、SiC衬底材料生长、SiC深能级缺陷、SiC结型场效应晶体管，以及SiCBJT等。书中涉及SiC材料制备、外延生长、测试表征、器件结构与工作原理、器件设计与仿真、器件关键工艺、器件研制与性能测试，以及器件应用等多个方面。

　　在论述这些基础理论的同时，重点总结了近年来SiC材料与器件的主要研究成果，以及今后的发展趋势。

　　本书作者在碳化硅研发领域有着总共45年以上的经历，是当今碳化硅研发和功率半导体领域中的领军人物。通过两位专家的执笔，全景般展示了碳化硅领域的知识和进展。目前，随着碳化硅基功率器件进入实用化阶段，本书的翻译出版对于大量已经进入和正在进入该行业，急需了解掌握该行业但不谙英语的专业人士是一本难得的专业书籍。

　　本书可以作为从事碳化硅电力电子材料、功率器件及其应用方面专业技术人员的参考书，也可以作为高等学校微电子学与固体物理学专业高年级本科生、研究生的教学用书或参考书。同时,该书对于在诸如电力供应、换流器-逆变器设计、电动汽车、高温电子学、传感器和智能电网技术等方面的设计工程师、应用工程师和产品经理也是有益的。

　　本书是一部介绍半导体集成电路和器件技术的专业书籍。其英文版在半导体领域享有很高的声誉，被列为业界最畅销的书籍之一，第五版的出版就是最好的证明。本书的范围包括半导体工艺的每个阶段，从原材料制备到封装、测试以及传统和现代工艺。每章包含有习题和复习总结,并辅以丰富的术语表。本书主要特点是简洁明了，避开了复杂的数学理论，非常便于读者理解。本书与时俱进地加入了半导体业界的最新成果,可使读者了解工艺技术发展的最新趋势。

　　

　　接下来分享其他系列的半导体书籍：

　　本书主要针对的是半导体使用客户，并把以前各种单独的解释进行了归纳总结。

　　它站在用户的角度上，去了解IGBT、MOSFET功率模块以及零散或集成的二极管和晶闸管(可控硅)。详细介绍了它们的基本数据，参数性能和实际应用，比如冷却，布线，控制，保护，并联和串联连接和使用拓扑技术的晶体管模块作为软开关的应用。

　　本书讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性，详细介绍了硅基器件，还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。主要内容包括材料特性与输运物理、击穿电压、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、双极型晶体管、晶闸管、IGBT器件等。

　　本书是根据德国J. Lutz、H. Schlangenotto、U. Scheuermam和R. De Doncker所著的第1版《Semiconductor Power Devices: Physics， Characteristics， Reliability》(2011年出版)翻译的。本书介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术，器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件,包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT 和功率集成器件等。此外，还包含了制造工艺、测试技术和损坏机理分析。就其内容的全面性和结构的完整性来说，在同类专业书籍中是不多见的。本书内容新颖，紧跟时代发展，除了介绍经典的功率二极管、晶闸管外，还重点介绍了MOSFET、ICBT 等现代功率器件，颇为难得的是收入了近年来有关功率半导体器件的最新的成果。本书是一-本精心编著,并根据作者多年教学经验和工程实践不断补充更新的好书，相信它的翻译出版，必将有助于我国电力电子事业的发展。

　　本书的读者对象包括在校学生、功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书，可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。

　　本书介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术，器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件，包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外，还包含了制造工艺、测试技术和损坏机理分析。就其内容的全面性和结构的完整性来说，在同类专业书籍中是不多见的。

　　本书内容新颖，紧跟时代发展，除了介绍经典的功率二极管、晶闸管外，还重点介绍了MOSFET、IGBT等现代功率器件，颇为难得的是收入了近年来有关功率半导体器件的*新成果，如SiC，GaN器件，以及场控宽禁带器件等。本书是一本精心编著、并根据作者多年教学经验和工程实践不断补充更新的好书，相信它的翻译出版必将有助于我国电力电子事业的发展。

　　本书的读者对象包括在校学生、功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书，亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。

　　2016年出版的

　　功率半导体器件又被称为电力电子器件，是电力电子技术的基础，也是构成电力电子变换装置的核心器件。《功率半导体器件与应用》基于前两章的半导体物理基础，详细介绍了目前主要的几类功率半导体器件，包括pin二极管、晶闸管、门极关断晶闸管、门极换流晶闸管、功率场效应晶体管和绝缘栅双极型晶体管。作为基础内容，《功率半导体器件与应用》详细描述了上述器件的工作原理和特性。同时，作为长期从事新型功率半导体器件研发的国际知名专家，作者斯蒂芬?林德（Stefan Linder）还给出了上述各类器件在不同工作条件下的比较分析，力图全面反映功率半导体器件的应用现状和发展趋势。

　　《功率半导体器件与应用》既可以作为电气工程专业、自动化专业本科生和研究生的教学用书，也可作为电力电子领域工程技术人员的参考用书。

　　英飞凌基于CoolSiC沟槽栅的碳化硅功率MOSFET，凭借杰出的系统性能，在功率转换开关器件的优值系数(FOM）值上取得了巨大改进。这能给许多应用带来更高的效率和功率密度，以及更低的系统成本。该技术也可为创造更多新应用和新拓扑带来可能。

　　然而，与所有新技术一样，碳化硅功率MOSFET必须全面严格地遵循技术开发和产品质量检验程序。唯有如此才能达到功率转换系统的设计寿命和质量要求。尽管与硅技术有相似之处——例如，垂直型器件结构，含有 SiOz等天然氧化物，及大多数工艺步骤等，但这些新功率器件在材料特性和运行模式上仍有重要的区别。由于存在这些实质性的差异，所以必须仔细考虑它们在最终应用时的运行模式，以及所需的开发和可靠性鉴定程序会受到什么影响。

　　本文着重讲述英飞凌在产品发布过程中用于评价CoolSiCTM技术和产品质量合格所需经历的主要流程步骤。本文还涉及到主要的失效机制，以及用于确保在各种应用中安全可靠运行的方法。

　　通过这种方式，我们避免了客户可能遇到的许多风险，并为可靠地使用英飞凌CoolSiCTM技术提供了一条安全的路径。本文对于有兴趣更好地了解碳化硅技术的可靠性的工程师也有指导价值。

　　半导体光电子学是研究半导体中光子与电子相互作用、光能与电能相互转换的一门科学,涉及量子力学、固体物理、半导体物理等一些基础物理，也关联着半导体光电子材料及其相关器件，在信息和能源等领域有着广泛的应用。

　　本书是作者在2013年第2版的基础上经进一步修改、提炼、补充和拓展而成的，基本保留了第2版的章节结构。半导体光电子器件的性能改善无不是通过不断优化半导体材料和器件结构以增强电子与光子的相互作用、实现高效电能与光能相互转换的结果，其中异质结所形成的电子势垒和光波导的双重效应起到了关键作用。全书分10章，各章内容相互关联，形成当今半导体光电子学较为完整的、理论和实际应用相结合的体系。

　　功率器件作为新能源、电气化过程中不可或缺的关键部件，正越来越被广大汽车零部件设计公司所重视;安世半导体作为专业领先的功率器件供应商,清楚了解客户需求并致力解决实际设计问题，因此有了 The Power MOSFET Appli ationHandbook英文版的面世，该书在数据手册之外提供了很多详实的应用笔记并详细剖析了功率器件的关键指标,是汽车电子工程师不可多得的工具书。

　　接下来是“十二五”（2011年-2015年）国家重点图书出版规划项目—— 电力电子新技术系列图书

　　本书介绍了电力半导体器件的结构、原理、特性、设计、制造工艺、可靠性与失效机理、应用共性技术及数值模拟方法。内容涉及功率二极管、晶闸管及其集成器件(包括GTO、IGCT、ETO及MTO)、功率 MOSFET、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)以及电力半导体器件的功率集成技术、结终端技术、制造技术、共性应用技术、数值分析与仿真技术。重点对功率二极管的快软恢复控制、GTO 的门极硬驱动、IGCT的透明阳极和波状基区、功率MOSFET的超结及IG-BT的电子注人增强(IE)等新技术进行了详细介绍。

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　　《电力半导体器件原理与应用》力求从电力半导体器件应用的角度来诠释和分析其基本原理和应用特性。

　　全书共分为8章

　　第1章主要阐述电力半导体器件的基本功能和用途；第2章介绍半导体器件物理基础，包括半导体与导体、绝缘体，原子中的电子能级，晶体中的能带等；第3章阐述双极型电力半导体器件基本原理，包括单pn结器件及多pn结特性；第4章介绍单极型及混合型器件电力半导体器件基本原理，涉及结型场效应器件、静电感应器件、功率mosfet器件、混合型器件igbt和混合型器件igct等；第5章叙述电力半导体器件的特性和参数，包括双稳态和双瞬态的基本工作状态，通态特性、阻态特性、开通过程、关断过程、触发特性以及系统安全工作区等；第6章重点分析了电力半导体器件应用特性，包括电力半导体器件的串、并联使用、电力半导体器件可靠性和失效分析以及电力半导体器件的保护等；第7章进一步分析了变换器中电力半导体器件应用特性，着重考虑电力半导体器件与变换器中其他因素之间的关系；第8章介绍适用于变换器仿真的电力半导体器件建模，以为变换器主回路优化设计所用。《电力半导体器件原理与应用》可作为电机系统及其控制、电力电子与电力传动等学科研究生专业课程的参考书，也可供从事电力电子技术应用的科技人员和有关科技管理人员参考。

　　《宽禁带半导体电力电子器件及其应用》介绍碳化硅、氮化镓和金刚石等宽禁带半导体电力电子器件的原理、特性、设计制造方法及应用，概括了这一新领域十余年来的主要成就。

　　内容包括：半导体物理基础，电力电子器件的基本原理、特性及典型器件，电力电子器件的材料优选，碳化硅整流器、功率MOSFET、功率JFET和MESFET、BJT、SICGT、IGBT、碳化硅功率集成电路中的高压器件、氮化镓功率器件、金刚石器件、宽禁带半导体功率模块，以及宽禁带半导体电力电子器件在开关电源功率因数校正器和各种电力变换器中的典型应用等。

　　本书全面阐述了高压IGBT模块的芯片、封装制造、测试与应用技术。在应用技术中又着重介绍了高压IGBT模块的驱动、保护、失效分析以及在轨道牵引、高压变频、风力发电和高压直流输配电中的应用要点。

　　本书内容新颖，介绍了最前沿的高压IGBT模块制造技术和应用设计技术；内容全面，涵盖了高压IGBT模块产品工程的全部技术：芯片技术、封装技术、制造技术、测试技术、可靠性技术和应用技术等；注重理论与实用的结合，很多内容是基于实验室和现场应用的实测结果。

　　本书非常适合电力电子装置设计工程师、功率半导体应用技术人员参考和使用，无论从事哪个领域进行开发设计，本书都会有所助益。本书对在大专院校里从事电力电子技术研究的广大师生也很有帮助。同时本书介绍的封装技术、制造技术、测试技术、可靠性技术等对半导体器件研发工程师和科研管理者也有参考价值。

　　

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